IXTQ52P10P

IXYS IXTQ52P10P

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • IXTQ52P10P
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTQ52P10P Лист данных
  • TO-3P-3, SC-65-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10PLead free / RoHS Compliant
  • 16901
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
IXTQ52P10P
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Package
Tube
Series
PolarP™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
P-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2845 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-3P-3, SC-65-3

IXTQ52P10P Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о IXTQ52P10P ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

IXYS
IXYS,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXTP26P20P,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXTP26P20P

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

IXFY4N60P3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXFY4N60P3

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

IXFP4N60P3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXFP4N60P3

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

IXFH12N100,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXFH12N100

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

IXTT30N60L2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXTT30N60L2

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

IXTH30N60L2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXTH30N60L2

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

IXFK180N25T,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXFK180N25T

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

IXFH75N10,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXTQ52P10P
IXFH75N10

MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB

What Are Transistors and How Do They Work?

What is the definition of transistors? What is the structure of a transistor? How does a transistor work? Classifications of a transistor What are the functions of transistors? Amplification function principle What are transistors used for? Relevant data and statistics of transistors for reference

What is a power module

What is a power module Features of the power module Power drive module role What are the power drive modules ,Provide you with power drive modules,A Power Module is a highly integrated electronic device that controls and converts electrical energy. It usually includes multiple power semiconductor devices (such as IGBTs, MOSFETs, diodes, etc.),

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead The 1N4148 diode is a common fast-switching diode used in a variety of electronic devices. Picture 01 Basic parameters of 1N4148 diode: Maximum reverse voltage: 100V Maximum forward current: 200mA Peak Forward Current: 450mA Forward Voltage (at 1.0mA): 1V Reverse current (at 75V): 5nA Maximum working temperature: 150°C Maximum storage temperature: 175°C Switching time: 4ns 1N4148 diodes are common in applic
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP