IXFK30N100Q2

IXYS IXFK30N100Q2

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • IXFK30N100Q2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFK30N100Q2 Лист данных
  • TO-264-3, TO-264AA
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2Lead free / RoHS Compliant
  • 6851
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
IXFK30N100Q2
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package
TO-264AA (IXFK)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
735W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8200 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-264-3, TO-264AA

IXFK30N100Q2 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о IXFK30N100Q2 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

IXYS
IXYS,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
IXFN27N80Q,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
IXFN27N80Q

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

MMIX1T550N055T2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
MMIX1T550N055T2

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

IXFN80N50Q2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
IXFN80N50Q2

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

IXFN170N10,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
IXFN170N10

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

IXKN45N80C,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
IXKN45N80C

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

MMIX1F420N10T,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
MMIX1F420N10T

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

MMIX1F360N15T2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
MMIX1F360N15T2

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

IXTX22N100L,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFK30N100Q2
IXTX22N100L

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

What is transistor?

What is transistor? What types of transistors in the market? Function and properties of a transistor Working principle of transistor Transistor vs IC amplify What’s a transistor used for? Trend of transistors

What is a power module

What is a power module Features of the power module Power drive module role What are the power drive modules ,Provide you with power drive modules,A Power Module is a highly integrated electronic device that controls and converts electrical energy. It usually includes multiple power semiconductor devices (such as IGBTs, MOSFETs, diodes, etc.),

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs Both MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are commonly used switching devices in power electronics. They each have their own characteristics and application scenarios, the following are their main differences:
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP