ZMY12

Diotec Semiconductor ZMY12

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • ZMY12
  • Diotec Semiconductor
  • DIODE ZENER 12V 1.3W MELF
  • Diodes - Zener - Single
  • ZMY12 Лист данных
  • DO-213AB, MELF
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12Lead free / RoHS Compliant
  • 3425
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
ZMY12
Category
Diodes - Zener - Single
Manufacturer
Diotec Semiconductor
Description
DIODE ZENER 12V 1.3W MELF
Package
Cut Tape (CT)
Series
-
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
DO-213AB, MELF
Supplier Device Package
MELF DO-213AB
Tolerance
±5%
Power - Max
1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
-
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 7 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
12 V
Impedance (Max) (Zzt)
4 Ohms
Package_case
DO-213AB, MELF

ZMY12 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о ZMY12 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Diotec Semiconductor

ZMY33,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY33

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

ZMY120,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY120

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

ZMY16,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY16

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

ZMY24,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY24

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

ZMY150,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY150

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

ZMY180,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY180

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

ZMY13,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY13

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

ZMY22,https://www.jinftry.ru/product_detail/ZMY12
ZMY22

DIODE ZENER 33V 1.3W MELF

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems.

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems. Since the birth of silicon power semiconductor devices, application demands have been driving the junction temperature to rise, which has now reached 150°C. With the emergence of third-generation wide-bandgap semiconductor devices (such as SiC) and their increasing maturity and full commercialization, their unique high-temperature resistance i

ON NTD2955G series packages and features are different

NTD2955 is a P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) produced by ON Semiconductor. NTD2955 series models may have some changes, such as NTD2955PT4G, NTD2955T4G, NTD2955T4, NTD2955G, NTD2955-1G, etc. These models basically have the same parameters, but may differ in packaging or other characteristics.

Infineon Ximenkang IGBT FF400R12KT4HOSA1 module series

FF450R12KE4 with EDA/CAD model made by Infineon. FF450R12KE4 provides MODULE package, which is a part of Module, Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW 7-Pin 62MM-1 Tray, IGBT Modules N-CH 1.2KV 520A. The following are the IGBT module series models: SKM100GAL128D, SKM145GAL128D, SKM200GAL128D, SKM300GAL128D, SKM400GAL128D, SKM145GAR128D SKM400GAR128D, SKM300GA12V, SKM400GA12V, SKM600GA12V, SKM150GAL12V, SKM400GAL12V, SKM50GB12T4, SKM75GB12T4, SKM100GB12T4, SKM150GB12T4, SKM200GB12T4

Diotec Semiconductor MMFTP2319P Enhancement Mode FETs

Diotec Semiconductor MMFTP2319P Enhancement Mode FETs Diotec Semiconductor MMFTP2319 P Enhancement Mode FETs offer fast switching times in SOT-23/TO-236 packages. The MMFTP2319 FET has a maximum drain-source voltage of 40V, a maximum power dissipation of 750mW, and a maximum drain current of 4.2A over the -50°C to +150°C junction temperature range. Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FETs are ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic level transla
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP