VBO130-14NO7

IXYS VBO130-14NO7

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • VBO130-14NO7
  • IXYS
  • BRIDGE RECT 1P 1.4KV 122A PWS-E1
  • Diodes - Bridge Rectifiers
  • VBO130-14NO7 Лист данных
  • PWS-E
  • Bulk
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7Lead free / RoHS Compliant
  • 1455
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
VBO130-14NO7
Category
Diodes - Bridge Rectifiers
Manufacturer
IXYS
Description
BRIDGE RECT 1P 1.4KV 122A PWS-E1
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
PWS-E
Supplier Device Package
PWS-E
Technology
Standard
Diode Type
Single Phase
Voltage - Peak Reverse (Max)
1.4 kV
Current - Average Rectified (Io)
122 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.65 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
300 µA @ 1400 V
Package_case
PWS-E

VBO130-14NO7 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о VBO130-14NO7 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

IXYS
IXYS,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VBO105-18NO7,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VBO105-18NO7

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

VUB160-12NO2,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VUB160-12NO2

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

VUB116-16NO1,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VUB116-16NO1

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

UGB3132AD,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
UGB3132AD

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

VUB135-22NO1,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VUB135-22NO1

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

VBO160-14NO7,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VBO160-14NO7

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

VGB0124AY7A,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VGB0124AY7A

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

VUB145-16NO1,https://www.jinftry.ru/product_detail/VBO130-14NO7
VUB145-16NO1

BRIDGE RECT 1P 1.8KV 107A PWS-C

An introduction to the IGBT module CM1000DU-34NF from Powerex Inc. and its technical applications

An introduction to the IGBT module CM1000DU-34NF from Powerex Inc. and its technical applications IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is a semiconductor device that combines the advantages of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) and BJT (Bipolar Transistor). It is widely used in the field of power electronics and used in switching power supplies. , motor drive, inverter and other applications. IGBT module CM1000DU-34NF The IGBT module is a highly efficient and comp

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs Both MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are commonly used switching devices in power electronics. They each have their own characteristics and application scenarios, the following are their main differences:

ON NTD2955G series packages and features are different

NTD2955 is a P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) produced by ON Semiconductor. NTD2955 series models may have some changes, such as NTD2955PT4G, NTD2955T4G, NTD2955T4, NTD2955G, NTD2955-1G, etc. These models basically have the same parameters, but may differ in packaging or other characteristics.
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP