TK18E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • TK18E10K3,S1X(S
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TK18E10K3,S1X(S Лист данных
  • TO-220-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-SLead free / RoHS Compliant
  • 10212
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
TK18E10K3,S1X(S
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Toshiba Semiconductor and Storage
Description
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
Package
Tube
Series
U-MOSIV
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
-
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vgs (Max)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Package_case
TO-220-3

TK18E10K3,S1X(S Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о TK18E10K3,S1X(S ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage,https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK2A65D(STA4,Q,M),https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK2A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

TK3A65DA(STA4,QM),https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

TK20G60W,RVQ,https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK20G60W,RVQ

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

TK5A65DA(STA4,Q,M),https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK5A65DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

TK5A60D(STA4,Q,M),https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK5A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

TK12A60D(STA4,Q,M),https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK12A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

TK35E10K3(S1SS-Q),https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK35E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

TK5A65D(STA4,Q,M),https://www.jinftry.ru/product_detail/TK18E10K3-S1X-S
TK5A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

The most complete introduction to IGBT modules in 2023

IGBTs are used in many applications, such as motor drives, industrial control, power transmission, renewable energy, and electric transportation, mainly because IGBTs provide a convenient and reliable power-switching solution for handling high-power and high-voltage applications.

1n5819 Diode (Schottky Rectifier) Pinout, Alternatives, Specifications, Datasheet, Price and Applications

1N5819 Schottky Diode Description: 1N5819 is a commonly used Schottky diode. A Schottky diode is a diode with special properties, its main features are a small forward voltage drop (typically 0.2-0.3V) and a fast reverse recovery time.

Infineon Ximenkang IGBT FF400R12KT4HOSA1 module series

FF450R12KE4 with EDA/CAD model made by Infineon. FF450R12KE4 provides MODULE package, which is a part of Module, Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW 7-Pin 62MM-1 Tray, IGBT Modules N-CH 1.2KV 520A. The following are the IGBT module series models: SKM100GAL128D, SKM145GAL128D, SKM200GAL128D, SKM300GAL128D, SKM400GAL128D, SKM145GAR128D SKM400GAR128D, SKM300GA12V, SKM400GA12V, SKM600GA12V, SKM150GAL12V, SKM400GAL12V, SKM50GB12T4, SKM75GB12T4, SKM100GB12T4, SKM150GB12T4, SKM200GB12T4
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP