SZ3C8.2

Diotec Semiconductor SZ3C8.2

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • SZ3C8.2
  • Diotec Semiconductor
  • DIODE ZENER 8.2V 3W MELF
  • Diodes - Zener - Single
  • SZ3C8.2 Лист данных
  • DO-213AB, MELF
  • Strip
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2Lead free / RoHS Compliant
  • 3488
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
SZ3C8.2
Category
Diodes - Zener - Single
Manufacturer
Diotec Semiconductor
Description
DIODE ZENER 8.2V 3W MELF
Package
Strip
Series
-
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
DO-213AB, MELF
Supplier Device Package
MELF DO-213AB
Tolerance
±5%
Power - Max
3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
-
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 3.5 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
8.2 V
Impedance (Max) (Zzt)
1 Ohms
Package_case
DO-213AB, MELF

SZ3C8.2 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о SZ3C8.2 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Diotec Semiconductor

ZPY1,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
ZPY1

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

Z2SMB36,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
Z2SMB36

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

Z2SMB91,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
Z2SMB91

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

Z2SMB9.1,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
Z2SMB9.1

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

Z2SMB120,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
Z2SMB120

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

Z2SMB10,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
Z2SMB10

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

Z2SMB110,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
Z2SMB110

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

Z2SMB11,https://www.jinftry.ru/product_detail/SZ3C8-2
Z2SMB11

DIODE ZENER 1V 1.3W DO41

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor. An IGBT is a power semiconductor device used in high voltage and high current applications. They are mainly used as switches in power electronic circuits. It's worth noting in the name IGBT, which has an insulated gate like a FET and a bipolar transistor like a BJT. The main reason for this is that an IGBT is indeed a device that combines the advantages of both transistors

The characteristics of 1N4007 diode and 1N4001 diode, can 1N4007 be used instead of 1N4001?

The characteristics of 1N4007 diode and 1N4001 diode, can 1N4007 be used instead of 1N4001? "1N4007" and "1N4001" are two types of diode information, which are two common rectifier diodes. 1N4007 and 1N4001 are part of a series of standard recovery time rectifier diodes, mainly used for AC (alternating current) to DC (direct current) conversion.

ON NTD2955G series packages and features are different

NTD2955 is a P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) produced by ON Semiconductor. NTD2955 series models may have some changes, such as NTD2955PT4G, NTD2955T4G, NTD2955T4, NTD2955G, NTD2955-1G, etc. These models basically have the same parameters, but may differ in packaging or other characteristics.

Diotec Semiconductor MMFTP2319P Enhancement Mode FETs

Diotec Semiconductor MMFTP2319P Enhancement Mode FETs Diotec Semiconductor MMFTP2319 P Enhancement Mode FETs offer fast switching times in SOT-23/TO-236 packages. The MMFTP2319 FET has a maximum drain-source voltage of 40V, a maximum power dissipation of 750mW, and a maximum drain current of 4.2A over the -50°C to +150°C junction temperature range. Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FETs are ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic level transla
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP