PXAC201202FCV2R250XTMA1

Infineon Technologies PXAC201202FCV2R250XTMA1

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • PXAC201202FCV2R250XTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC AMP RF LDMOS
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF
  • PXAC201202FCV2R250XTMA1 Лист данных
  • H-37248-4
  • H-37248-4
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1Lead free / RoHS Compliant
  • 4551
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
PXAC201202FCV2R250XTMA1
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IC AMP RF LDMOS
Package
H-37248-4
Series
-
Package / Case
H-37248-4
Supplier Device Package
H-37248-4
Frequency
2.2GHz
Gain
17dB
Power - Output
16W
Transistor Type
LDMOS
Voltage - Test
28V
Current - Test
240mA
Voltage - Rated
65V
Package_case
H-37248-4

PXAC201202FCV2R250XTMA1 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о PXAC201202FCV2R250XTMA1 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Infineon Technologies
Infineon Technologies,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTVA120251EAV1R250XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTVA120251EAV1R250XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

PTAC260302SCV1R250XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTAC260302SCV1R250XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

PTAC260302FCV1R250XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTAC260302FCV1R250XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

PTFA091201EV4R0XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTFA091201EV4R0XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

PTFA091503ELV4R250XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTFA091503ELV4R250XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

PTVA120251EAV2R250XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTVA120251EAV2R250XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

PTFA180701FV4R0XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTFA180701FV4R0XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

PTFA180701EV4R0XTMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/PXAC201202FCV2R250XTMA1
PTFA180701EV4R0XTMA1

IC RF LDMOS FET H-36265-2

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

NPN Silicon Transistor S8050 - Datasheet, Application Specifications, Pinout and Equivalent Replacements

NPN Silicon Transistor S8050 - Datasheet, Application Specifications, Pinout and Equivalent Replacements S8050 is an NPN bipolar transistor. So when the base pin is connected to ground, the collector and emitter will remain open (reverse biased) and when a signal is supplied to the base pin, the collector and emitter will be closed (forward biased). It is commonly used in amplification and switching applications and is the perfect transistor to perform small and versatile tasks in electronic

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor. An IGBT is a power semiconductor device used in high voltage and high current applications. They are mainly used as switches in power electronic circuits. It's worth noting in the name IGBT, which has an insulated gate like a FET and a bipolar transistor like a BJT. The main reason for this is that an IGBT is indeed a device that combines the advantages of both transistors

1N5408 Power/Rectifier Diode Introduction - Pinout, Price, Datasheet

1N5408 Power/Rectifier Diode Introduction - Pinout, Price, Datasheet An introduction to the 1N5408 power/rectifier diode is discussed here. 1N5408 is a very common rectifier diode that is widely used in electronic equipment. This is a general purpose silicon diode, the 1N5408 low frequency power diode, used in various rectification and power conversion applications.
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP