MRFE6VS25LR5

NXP USA Inc. MRFE6VS25LR5

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • MRFE6VS25LR5
  • NXP USA Inc.
  • FET RF 133V 512MHZ NI360L
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF
  • MRFE6VS25LR5 Лист данных
  • NI-360
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5Lead free / RoHS Compliant
  • 4938
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
MRFE6VS25LR5
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Manufacturer
NXP USA Inc.
Description
FET RF 133V 512MHZ NI360L
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Package / Case
NI-360
Supplier Device Package
NI-360
Frequency
512MHz
Gain
25.9dB
Noise Figure
-
Power - Output
25W
Transistor Type
LDMOS
Voltage - Test
50 V
Current - Test
10 mA
Voltage - Rated
133 V
Current Rating (Amps)
-
Package_case
NI-360

MRFE6VS25LR5 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о MRFE6VS25LR5 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

NXP USA Inc.
NXP USA Inc.,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
MRFE6S9060NR1,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
MRFE6S9060NR1

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

MRFG35010ANT1,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
MRFG35010ANT1

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

MW6S010NR1,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
MW6S010NR1

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

MRF1518NT1,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
MRF1518NT1

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

MRF1513NT1,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
MRF1513NT1

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

AFT05MS004NT1,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
AFT05MS004NT1

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

BF545C,215,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
BF545C,215

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

BF862,235,https://www.jinftry.ru/product_detail/MRFE6VS25LR5
BF862,235

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

What is a power module

What is a power module Features of the power module Power drive module role What are the power drive modules ,Provide you with power drive modules,A Power Module is a highly integrated electronic device that controls and converts electrical energy. It usually includes multiple power semiconductor devices (such as IGBTs, MOSFETs, diodes, etc.),

Introduction to Semiconductor Discrete Devices

Introduction to Semiconductor Discrete Devices Semiconductor discrete devices refer to semiconductor crystal diodes, semiconductor transistors, transistors, transistors and semiconductor special devices. Introduction to Semiconductor Discrete Devices Electronic products are divided into "conductors" and "insulators" according to their conductive properties. Semiconductors are between "conductors" and "insulators". Semiconductor components are furthe

What is a bipolar transistor and what is its operating mode

What is a bipolar transistor How bipolar transistors work Bipolar junction transistor four modes of operation Bipolar transistor development applications What is a bipolar transistor

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems.

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems. Since the birth of silicon power semiconductor devices, application demands have been driving the junction temperature to rise, which has now reached 150°C. With the emergence of third-generation wide-bandgap semiconductor devices (such as SiC) and their increasing maturity and full commercialization, their unique high-temperature resistance i
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP