IXFT60N65X2HV

IXYS IXFT60N65X2HV

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • IXFT60N65X2HV
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFT60N65X2HV Лист данных
  • TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HVLead free / RoHS Compliant
  • 24965
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
IXFT60N65X2HV
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Supplier Device Package
TO-268HV (IXFT)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
780W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

IXFT60N65X2HV Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о IXFT60N65X2HV ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

IXYS
IXYS,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXFT26N100XHV,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXFT26N100XHV

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

IXTK400N15X4,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXTK400N15X4

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

IXTY01N100D-TRL,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXTY01N100D-TRL

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

IXFT120N25X3HV,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXFT120N25X3HV

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

IXFH150N30X3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXFH150N30X3

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

IXFT220N20X3HV,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXFT220N20X3HV

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

IXFX240N25X3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXFX240N25X3

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

IXFX300N20X3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFT60N65X2HV
IXFX300N20X3

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

What is a power module

What is a power module Features of the power module Power drive module role What are the power drive modules ,Provide you with power drive modules,A Power Module is a highly integrated electronic device that controls and converts electrical energy. It usually includes multiple power semiconductor devices (such as IGBTs, MOSFETs, diodes, etc.),

What is a bipolar transistor and what is its operating mode

Silicon Rectifier Diode 1N4004 VS 1N4002 Diode Pinout, Equivalents, Data Sheet, Specifications, Prices and Alternatives

Silicon Rectifier Diode 1N4004 VS 1N4002 Diode Pinout, Equivalents, Data Sheet, Specifications, Prices and Alternatives 1N4004 is a silicon rectifier diode, which has the following typical parameter specifications: It is a member of the 1N400x series (1N4001-1N4007) rectifier diodes, which are often used in various electronic devices for voltage rectification, such as power converters or power adapters. 1N4002 Diode Features/Technical Specifications (Partial Parameters): The pin str

The development trend of IGBT (insulated gate bipolar transistor) manufacturers in recent years

PS22A78-E Description:DIPIPMs are intelligent power modules that integrate power devices, drivers, and protection circuitry. Design time is reduced by the use of application-specific HVICs and value-added features such as linear temperature feed-back. Overall efficiency and reliability are increase ed by the use of full gate CSTBT technology and low thermal impedance. Features:   Low-loss, Full Gate CSTBT IGBTs Single Power Supply   Integrated HVICs   Direct Connection to CPUApplications:
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP