IXFR75N10Q

IXYS IXFR75N10Q

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • IXFR75N10Q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFR75N10Q Лист данных
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10QLead free / RoHS Compliant
  • 1709
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
IXFR75N10Q
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
ISOPLUS247™
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
-
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vgs (Max)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Package_case
TO-247-3

IXFR75N10Q Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о IXFR75N10Q ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

IXYS
IXYS,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFX21N100Q,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFX21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXFR27N80Q,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFR27N80Q

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXFR34N80,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFR34N80

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXFR25N90,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFR25N90

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXFX26N90,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFX26N90

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXFR20N120P,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFR20N120P

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXFK100N10,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFK100N10

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXFL60N80P,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFR75N10Q
IXFL60N80P

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs Both MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are commonly used switching devices in power electronics. They each have their own characteristics and application scenarios, the following are their main differences:

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead The 1N4148 diode is a common fast-switching diode used in a variety of electronic devices. Picture 01 Basic parameters of 1N4148 diode: Maximum reverse voltage: 100V Maximum forward current: 200mA Peak Forward Current: 450mA Forward Voltage (at 1.0mA): 1V Reverse current (at 75V): 5nA Maximum working temperature: 150°C Maximum storage temperature: 175°C Switching time: 4ns 1N4148 diodes are common in applic

ON NTD2955G series packages and features are different

NTD2955 is a P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) produced by ON Semiconductor. NTD2955 series models may have some changes, such as NTD2955PT4G, NTD2955T4G, NTD2955T4, NTD2955G, NTD2955-1G, etc. These models basically have the same parameters, but may differ in packaging or other characteristics.
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP