IXFH13N90

IXYS IXFH13N90

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • IXFH13N90
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFH13N90 Лист данных
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90Lead free / RoHS Compliant
  • 24777
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
IXFH13N90
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-3

IXFH13N90 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о IXFH13N90 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

IXYS
IXYS,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFT30N50Q,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFT30N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFT30N50,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFT30N50

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFH30N50,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFH30N50

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFH30N50Q,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFH30N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFR200N10P,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFR200N10P

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFR180N15P,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFR180N15P

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFR140N20P,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFR140N20P

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFR102N30P,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXFH13N90
IXFR102N30P

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

What is a bipolar transistor and what is its operating mode

The most complete introduction to IGBT modules in 2023

IGBTs are used in many applications, such as motor drives, industrial control, power transmission, renewable energy, and electric transportation, mainly because IGBTs provide a convenient and reliable power-switching solution for handling high-power and high-voltage applications.

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead The 1N4148 diode is a common fast-switching diode used in a variety of electronic devices. Picture 01 Basic parameters of 1N4148 diode: Maximum reverse voltage: 100V Maximum forward current: 200mA Peak Forward Current: 450mA Forward Voltage (at 1.0mA): 1V Reverse current (at 75V): 5nA Maximum working temperature: 150°C Maximum storage temperature: 175°C Switching time: 4ns 1N4148 diodes are common in applic

The development trend of IGBT (insulated gate bipolar transistor) manufacturers in recent years

PS22A78-E Description:DIPIPMs are intelligent power modules that integrate power devices, drivers, and protection circuitry. Design time is reduced by the use of application-specific HVICs and value-added features such as linear temperature feed-back. Overall efficiency and reliability are increase ed by the use of full gate CSTBT technology and low thermal impedance. Features:   Low-loss, Full Gate CSTBT IGBTs Single Power Supply   Integrated HVICs   Direct Connection to CPUApplications:
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP