IXBN75N170A

IXYS IXBN75N170A

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • IXBN75N170A
  • IXYS
  • IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • IXBN75N170A Лист данных
  • SOT-227-4, miniBLOC
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170ALead free / RoHS Compliant
  • 4990
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
IXBN75N170A
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
IXYS
Description
IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Package
Tube
Series
BIMOSFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package
SOT-227B
Power - Max
625 W
Configuration
Single
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector Cutoff (Max)
50 µA
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 42A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
7.4 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Package_case
SOT-227-4, miniBLOC

IXBN75N170A Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о IXBN75N170A ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

IXYS
IXYS,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MIXA61H1200ED,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MIXA61H1200ED

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

MWI25-12A7T,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MWI25-12A7T

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

MUBW15-12T7,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MUBW15-12T7

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

MIXA30WB1200TED,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MIXA30WB1200TED

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

MIXA40W1200TED,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MIXA40W1200TED

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

MII75-12A3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MII75-12A3

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

MKI75-06A7T,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MKI75-06A7T

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

MUBW30-06A7,https://www.jinftry.ru/product_detail/IXBN75N170A
MUBW30-06A7

IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

Introduction to Semiconductor Discrete Devices

Introduction to Semiconductor Discrete Devices Semiconductor discrete devices refer to semiconductor crystal diodes, semiconductor transistors, transistors, transistors and semiconductor special devices. Introduction to Semiconductor Discrete Devices Electronic products are divided into "conductors" and "insulators" according to their conductive properties. Semiconductors are between "conductors" and "insulators". Semiconductor components are furthe

1N5408 Power/Rectifier Diode Introduction - Pinout, Price, Datasheet

1N5408 Power/Rectifier Diode Introduction - Pinout, Price, Datasheet An introduction to the 1N5408 power/rectifier diode is discussed here. 1N5408 is a very common rectifier diode that is widely used in electronic equipment. This is a general purpose silicon diode, the 1N5408 low frequency power diode, used in various rectification and power conversion applications.

The characteristics of 1N4007 diode and 1N4001 diode, can 1N4007 be used instead of 1N4001?

The characteristics of 1N4007 diode and 1N4001 diode, can 1N4007 be used instead of 1N4001? "1N4007" and "1N4001" are two types of diode information, which are two common rectifier diodes. 1N4007 and 1N4001 are part of a series of standard recovery time rectifier diodes, mainly used for AC (alternating current) to DC (direct current) conversion.

ON NTD2955G series packages and features are different

NTD2955 is a P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) produced by ON Semiconductor. NTD2955 series models may have some changes, such as NTD2955PT4G, NTD2955T4G, NTD2955T4, NTD2955G, NTD2955-1G, etc. These models basically have the same parameters, but may differ in packaging or other characteristics.
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP