IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies IPZA60R024P7XKSA1

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • IPZA60R024P7XKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IPZA60R024P7XKSA1 Лист данных
  • TO-247-4
  • Tube
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1Lead free / RoHS Compliant
  • 1023
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
IPZA60R024P7XKSA1
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Package
Tube
Series
CoolMOS™ P7
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-4
Supplier Device Package
PG-TO247-4-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
291W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.03mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7144 pF @ 400 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-4

IPZA60R024P7XKSA1 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о IPZA60R024P7XKSA1 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Infineon Technologies
Infineon Technologies,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
IGOT60R070D1AUMA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
IGOT60R070D1AUMA1

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

BSS214NWH6327,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
BSS214NWH6327

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

BSC090N03LSG,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
BSC090N03LSG

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

IPD78CN10NG,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
IPD78CN10NG

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

IPD135N03LG,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
IPD135N03LG

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

BSZ050N03LSG,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
BSZ050N03LSG

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

IPD50N04S4-08,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
IPD50N04S4-08

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

BSZ050N03MSG,https://www.jinftry.ru/product_detail/IPZA60R024P7XKSA1
BSZ050N03MSG

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

1N5408 Power/Rectifier Diode Introduction - Pinout, Price, Datasheet

1N5408 Power/Rectifier Diode Introduction - Pinout, Price, Datasheet An introduction to the 1N5408 power/rectifier diode is discussed here. 1N5408 is a very common rectifier diode that is widely used in electronic equipment. This is a general purpose silicon diode, the 1N5408 low frequency power diode, used in various rectification and power conversion applications.

1n5819 Diode (Schottky Rectifier) Pinout, Alternatives, Specifications, Datasheet, Price and Applications

1N5819 Schottky Diode Description: 1N5819 is a commonly used Schottky diode. A Schottky diode is a diode with special properties, its main features are a small forward voltage drop (typically 0.2-0.3V) and a fast reverse recovery time.

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead The 1N4148 diode is a common fast-switching diode used in a variety of electronic devices. Picture 01 Basic parameters of 1N4148 diode: Maximum reverse voltage: 100V Maximum forward current: 200mA Peak Forward Current: 450mA Forward Voltage (at 1.0mA): 1V Reverse current (at 75V): 5nA Maximum working temperature: 150°C Maximum storage temperature: 175°C Switching time: 4ns 1N4148 diodes are common in applic
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP