FD1000R33HE3KBOSA1

Infineon Technologies FD1000R33HE3KBOSA1

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • FD1000R33HE3KBOSA1
  • Infineon Technologies
  • IGBT MODULE 3300V 1000A
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • FD1000R33HE3KBOSA1 Лист данных
  • Module
  • Tray
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1Lead free / RoHS Compliant
  • 2526
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
FD1000R33HE3KBOSA1
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IGBT MODULE 3300V 1000A
Package
Tray
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
-
Power - Max
11500 W
Configuration
Dual Brake Chopper
Current - Collector (Ic) (Max)
1000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 1kA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
190 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Package_case
Module

FD1000R33HE3KBOSA1 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о FD1000R33HE3KBOSA1 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Infineon Technologies
Infineon Technologies,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
FS100R12N2T4BPSA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
FS100R12N2T4BPSA1

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

FF450R33T3E3B5P3BPSA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
FF450R33T3E3B5P3BPSA1

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

FS75R12KT4BPSA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
FS75R12KT4BPSA1

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

6MS24017E33W32274NOSA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
6MS24017E33W32274NOSA1

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

6MS24017E33W31361NOSA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
6MS24017E33W31361NOSA1

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

FS800R07A2E3BOSA2,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
FS800R07A2E3BOSA2

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

FS800R07A2E3BOSA4,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
FS800R07A2E3BOSA4

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

BSM15GP120B2BOSA1,https://www.jinftry.ru/product_detail/FD1000R33HE3KBOSA1
BSM15GP120B2BOSA1

IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO

What is transistor?

What is transistor? What types of transistors in the market? Function and properties of a transistor Working principle of transistor Transistor vs IC amplify What’s a transistor used for? Trend of transistors

Datasheet and working principle of 1N4001 rectifier diode

Friends who are familiar with diodes should know that 1N4001 is a common rectifier diode used to convert alternating current into direct current. This type of diode has a wide range of applications in electronic equipment and circuits.

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead The 1N4148 diode is a common fast-switching diode used in a variety of electronic devices. Picture 01 Basic parameters of 1N4148 diode: Maximum reverse voltage: 100V Maximum forward current: 200mA Peak Forward Current: 450mA Forward Voltage (at 1.0mA): 1V Reverse current (at 75V): 5nA Maximum working temperature: 150°C Maximum storage temperature: 175°C Switching time: 4ns 1N4148 diodes are common in applic

Infineon Technologies BGT60ATR24C XENSIV 60GHz Automotive Radar MMIC

Infineon Technologies BGT60ATR24C XENSIV 60GHz Automotive Radar MMIC Infineon BGT60ATR24C XENSIV ™ The automotive 60GHz radar sensor realizes ultra wideband frequency modulated continuous wave (FMCW) operation, and adopts small package. BGT60ATR24C is designed for on-board occupancy detection (scanning the cabin to scan people and pets). The sensor configuration and data acquisition are realized through the digital interface. The integrated state machine supports independent data acquisition, h
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP