DRA2523Y0L

Panasonic Electronic Components DRA2523Y0L

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • DRA2523Y0L
  • Panasonic Electronic Components
  • TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
  • DRA2523Y0L Лист данных
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0LLead free / RoHS Compliant
  • 6873
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
DRA2523Y0L
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer
Panasonic Electronic Components
Description
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
MINI3-G3-B
Power - Max
200 mW
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition
-
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Package_case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DRA2523Y0L Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о DRA2523Y0L ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Panasonic Electronic Components
Panasonic Electronic Components,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRC9115E0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRC9115E0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

DRC9114W0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRC9114W0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

DRC9114T0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRC9114T0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

DRC9144V0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRC9144V0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

DRC9143E0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRC9143E0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

DRA9144E0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRA9144E0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

DRA9114T0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRA9114T0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

DRA9115E0L,https://www.jinftry.ru/product_detail/DRA2523Y0L
DRA9115E0L

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

What is a bipolar transistor and what is its operating mode

2SC5200 2SA1943 NPN transistor electronic power amplifier, data sheet, application characteristics

The 2SA1943 and 2SC5200 are complementary NPN and PNP power transistors commonly used in electronic power amplifier circuits. When used together, they are often used in high-power audio amplifiers to amplify audio signals.

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs Both MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are commonly used switching devices in power electronics. They each have their own characteristics and application scenarios, the following are their main differences:

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead The 1N4148 diode is a common fast-switching diode used in a variety of electronic devices. Picture 01 Basic parameters of 1N4148 diode: Maximum reverse voltage: 100V Maximum forward current: 200mA Peak Forward Current: 450mA Forward Voltage (at 1.0mA): 1V Reverse current (at 75V): 5nA Maximum working temperature: 150°C Maximum storage temperature: 175°C Switching time: 4ns 1N4148 diodes are common in applic
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP