BLC8G22LS-450AVY

Ampleon USA Inc. BLC8G22LS-450AVY

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • BLC8G22LS-450AVY
  • Ampleon USA Inc.
  • RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF
  • BLC8G22LS-450AVY Лист данных
  • SOT-1258-3
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVYLead free / RoHS Compliant
  • 2570
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
BLC8G22LS-450AVY
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Manufacturer
Ampleon USA Inc.
Description
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Package / Case
SOT-1258-3
Supplier Device Package
DFM6
Frequency
2.11GHz ~ 2.17GHz
Gain
14dB
Noise Figure
-
Power - Output
85W
Transistor Type
LDMOS (Dual), Common Source
Voltage - Test
28 V
Current - Test
1 A
Voltage - Rated
65 V
Current Rating (Amps)
-
Package_case
SOT-1258-3

BLC8G22LS-450AVY Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о BLC8G22LS-450AVY ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Ampleon USA Inc.

BLP25M710Z,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLP25M710Z

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

BLP35M805Z,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLP35M805Z

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

BLP25M705Z,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLP25M705Z

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

BLP7G22-10Z,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLP7G22-10Z

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

BLP8G27-10Z,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLP8G27-10Z

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

BLM7G1822S-80ABY,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLM7G1822S-80ABY

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

BLM7G1822S-80ABGY,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLM7G1822S-80ABGY

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

BLC9G20LS-120VY,https://www.jinftry.ru/product_detail/BLC8G22LS-450AVY
BLC9G20LS-120VY

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

What is a power module

What is a power module Features of the power module Power drive module role What are the power drive modules ,Provide you with power drive modules,A Power Module is a highly integrated electronic device that controls and converts electrical energy. It usually includes multiple power semiconductor devices (such as IGBTs, MOSFETs, diodes, etc.),

Introduction to Semiconductor Discrete Devices

Introduction to Semiconductor Discrete Devices Semiconductor discrete devices refer to semiconductor crystal diodes, semiconductor transistors, transistors, transistors and semiconductor special devices. Introduction to Semiconductor Discrete Devices Electronic products are divided into "conductors" and "insulators" according to their conductive properties. Semiconductors are between "conductors" and "insulators". Semiconductor components are furthe

What is a bipolar transistor and what is its operating mode

What is a bipolar transistor How bipolar transistors work Bipolar junction transistor four modes of operation Bipolar transistor development applications What is a bipolar transistor

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems.

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems. Since the birth of silicon power semiconductor devices, application demands have been driving the junction temperature to rise, which has now reached 150°C. With the emergence of third-generation wide-bandgap semiconductor devices (such as SiC) and their increasing maturity and full commercialization, their unique high-temperature resistance i
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP