3EZ6.2D5E3/TR8

Microsemi Corporation 3EZ6.2D5E3/TR8

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • 3EZ6.2D5E3/TR8
  • Microsemi Corporation
  • DIODE ZENER 6.2V 3W DO204AL
  • Diodes - Zener - Single
  • 3EZ6.2D5E3/TR8 Лист данных
  • DO-204AL, DO-41, Axial
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8Lead free / RoHS Compliant
  • 3461
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
3EZ6.2D5E3/TR8
Category
Diodes - Zener - Single
Manufacturer
Microsemi Corporation
Description
DIODE ZENER 6.2V 3W DO204AL
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package
DO-204AL (DO-41)
Tolerance
±5%
Power - Max
3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 3 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
6.2 V
Impedance (Max) (Zzt)
1.5 Ohms
Package_case
DO-204AL, DO-41, Axial

3EZ6.2D5E3/TR8 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о 3EZ6.2D5E3/TR8 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ51D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ51D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

3EZ5.6D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ5.6D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

3EZ47D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ47D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

3EZ43D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ43D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

3EZ39D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ39D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

3EZ36D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ36D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

3EZ30D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ30D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

3EZ27D5E3/TR8,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ6-2D5E3-TR8
3EZ27D5E3/TR8

DIODE ZENER 51V 3W DO204AL

Introduction to Semiconductor Discrete Devices

Introduction to Semiconductor Discrete Devices Semiconductor discrete devices refer to semiconductor crystal diodes, semiconductor transistors, transistors, transistors and semiconductor special devices. Introduction to Semiconductor Discrete Devices Electronic products are divided into "conductors" and "insulators" according to their conductive properties. Semiconductors are between "conductors" and "insulators". Semiconductor components are furthe

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor. An IGBT is a power semiconductor device used in high voltage and high current applications. They are mainly used as switches in power electronic circuits. It's worth noting in the name IGBT, which has an insulated gate like a FET and a bipolar transistor like a BJT. The main reason for this is that an IGBT is indeed a device that combines the advantages of both transistors

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs Both MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are commonly used switching devices in power electronics. They each have their own characteristics and application scenarios, the following are their main differences:

The characteristics of 1N4007 diode and 1N4001 diode, can 1N4007 be used instead of 1N4001?

The characteristics of 1N4007 diode and 1N4001 diode, can 1N4007 be used instead of 1N4001? "1N4007" and "1N4001" are two types of diode information, which are two common rectifier diodes. 1N4007 and 1N4001 are part of a series of standard recovery time rectifier diodes, mainly used for AC (alternating current) to DC (direct current) conversion.
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP