3EZ43D10E3/TR12

Microsemi Corporation 3EZ43D10E3/TR12

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • 3EZ43D10E3/TR12
  • Microsemi Corporation
  • DIODE ZENER 43V 3W DO204AL
  • Diodes - Zener - Single
  • 3EZ43D10E3/TR12 Лист данных
  • DO-204AL, DO-41, Axial
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12Lead free / RoHS Compliant
  • 17881
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
3EZ43D10E3/TR12
Category
Diodes - Zener - Single
Manufacturer
Microsemi Corporation
Description
DIODE ZENER 43V 3W DO204AL
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package
DO-204AL (DO-41)
Tolerance
±10%
Power - Max
3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
500 nA @ 32.7 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
43 V
Impedance (Max) (Zzt)
33 Ohms
Package_case
DO-204AL, DO-41, Axial

3EZ43D10E3/TR12 Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о 3EZ43D10E3/TR12 ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ39D10E3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ39D10E3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

3EZ36DE3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ36DE3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

3EZ36D10E3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ36D10E3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

3EZ33DE3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ33DE3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

3EZ33D10E3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ33D10E3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

3EZ91DE3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ91DE3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

3EZ91D10E3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ91D10E3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

3EZ9.1DE3/TR12,https://www.jinftry.ru/product_detail/3EZ43D10E3-TR12
3EZ9.1DE3/TR12

DIODE ZENER 39V 3W DO204AL

What is a thyristor and what are its advantages?

What is a thyristor and what are its advantages? What is the working principle of the thyristor? How to measure the thyristors? What are the classifications of thyristors? What is the function of the thyristor? Advantages of using thyristor What are the main applications of thyristors?

An introduction to the IGBT module CM1000DU-34NF from Powerex Inc. and its technical applications

An introduction to the IGBT module CM1000DU-34NF from Powerex Inc. and its technical applications IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is a semiconductor device that combines the advantages of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) and BJT (Bipolar Transistor). It is widely used in the field of power electronics and used in switching power supplies. , motor drive, inverter and other applications. IGBT module CM1000DU-34NF The IGBT module is a highly efficient and comp

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs Both MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are commonly used switching devices in power electronics. They each have their own characteristics and application scenarios, the following are their main differences:

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead

1N4148 diode, characteristics - can use 1n4148w, 1n4448 diode instead The 1N4148 diode is a common fast-switching diode used in a variety of electronic devices. Picture 01 Basic parameters of 1N4148 diode: Maximum reverse voltage: 100V Maximum forward current: 200mA Peak Forward Current: 450mA Forward Voltage (at 1.0mA): 1V Reverse current (at 75V): 5nA Maximum working temperature: 150°C Maximum storage temperature: 175°C Switching time: 4ns 1N4148 diodes are common in applic
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP