2SC5753-T2-A

CEL 2SC5753-T2-A

Изображение только для справки, пожалуйста, обратитесь к спецификации продукта

  • 2SC5753-T2-A
  • CEL
  • RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • 2SC5753-T2-A Лист данных
  • SOT-343F
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS Compliant,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-ALead free / RoHS Compliant
  • 2628
  • Запасы спот / разрешенные дилеры / излишки на заводе
  • Гарантия качества на 1 год 》
  • Нажмите, чтобы узнать цены
Part Number
2SC5753-T2-A
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer
CEL
Description
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-343F
Supplier Device Package
SOT-343F
Gain
13.5dB
Power - Max
205mW
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition
12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.7dB @ 2GHz
Package_case
SOT-343F

2SC5753-T2-A Гарантии

jinfftry-guarantee1,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A

jinfftry-guarantee2,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A

jinfftry-guarantee3,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A

• Ответьте оперативно

• Гарантированное качество

• Глобальный доступ

• Конкурентоспособная рыночная цена

• Универсальные услуги цепочки поставок

Jinftry, это ваш самый надежный поставщик компонентов, добро пожаловать, чтобы отправить нам запрос, спасибо!

У вас есть вопросы о 2SC5753-T2-A ?
Не стесняйтесь связаться с нами:

+86-755-82518276
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Электронная почта в первую очередь )

Комментарии

Оставьте свой комментарий

CEL

2SC5509-T2-A,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5509-T2-A

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

2SC5508-T2-A,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5508-T2-A

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

2SC5336-T1-AZ,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5336-T1-AZ

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

2SC5015-T1-A,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5015-T1-A

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

2SC5010-T1-A,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5010-T1-A

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

2SC5008-T1-A,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5008-T1-A

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

2SC5007-T1-A,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5007-T1-A

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

2SC5006-T1-A,https://www.jinftry.ru/product_detail/2SC5753-T2-A
2SC5006-T1-A

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

Introduction to Semiconductor Discrete Devices

Introduction to Semiconductor Discrete Devices Semiconductor discrete devices refer to semiconductor crystal diodes, semiconductor transistors, transistors, transistors and semiconductor special devices. Introduction to Semiconductor Discrete Devices Electronic products are divided into "conductors" and "insulators" according to their conductive properties. Semiconductors are between "conductors" and "insulators". Semiconductor components are furthe

What is a bipolar transistor and what is its operating mode

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB

What are IGBTs? How to improve the thermal performance design of IGBT on PCB IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor. An IGBT is a power semiconductor device used in high voltage and high current applications. They are mainly used as switches in power electronic circuits. It's worth noting in the name IGBT, which has an insulated gate like a FET and a bipolar transistor like a BJT. The main reason for this is that an IGBT is indeed a device that combines the advantages of both transistors

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs

Classification of IGBT modules, difference between application characteristics and MOSFETs Both MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are commonly used switching devices in power electronics. They each have their own characteristics and application scenarios, the following are their main differences:
Индекс продукции
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Shopping Cart Tel: +86-755-82518276 Email: sales@jinftry.com Skype: +8615019224070, annies65, +8615118125813 QQ: 568248857, 827259012, 316249462 Mobile: +8615019224070, +8615118118839, +8615118125813 WeChat: Send Message
TOP